Veranstaltung: Halbleitertechnologie Praktikum
   

Form:


 P 3 SWS

Studiengänge:


 (2. FS PV) EIT MA MOE-BT,
(WP) EIT MA MOE-ST

Semester:


 Sommersemester

Dozent:


 Prof. Dr. G. Bacher / Dr. R. Buß / Prof. Dr. F. J. Tegude / Prof. Dr. H. Vogt /
Dipl.-Ing. C. Lange
Inhalt:

Das Praktikum deckt die verschiedenen Bereichen der Halbleitertechnologie ab, zu denen im Fachbereich Ingenieurwissenschaften der Uni Duisburg-Essen geforscht wird. Es werden Themen aus der Optoelektronik, der Silizium-Halbleitertechnologie, der Technologie für Höchstfrequenzbauelemente aus III-V-Halbleitern und der Nanotechnologie für Quantenbauelemente angeboten. Der Schwerpunkt der Versuche dient der Herstellung und technologienahen Charakterisierung von Bauelementen, die den Zusammenhang zwischen Herstellung und Bauelementeparametern deutlich macht. Für die einzelnen Versuche stehen ausführliche Beschreibungen zur Verfügung, innerhalb derer die notwendigen Grundlagen wiederholt werden. Verständnisfragen und Aufgaben werden gestellt, die als Vorbereitung zuhause gelöst werden müssen. Zur Durchführung der Laborversuche gehören ein Kolloquium mit An-Testat, die eigentliche Versuchsdurchführung sowie ein Versuchsprotokoll.

Versuche OE/Jäger:
1) Photovoltaik
2) Aufbau-, Verbindungs- und Systemtechnik

Versuche HLT/Tegude:
3) Herstellung von Halbleiter-Teststrukturen
4) Charakterisierung der hergestellten Teststrukturen

Versuche Bacher/WET
5) Nanolithografie für Quanten-Bauelemente
6) Analyse nanostrukturierter Bauelemente

Versuche EBS/Vogt:
7) Charakterisierung von MOS-Kondensatoren und -Transistoren
8) Messtechnik in der Halbleiterfertigung
Lehrmittel: Download