Veranstaltung: Silizium-Halbleiterfertigung
   

Form:


 V/Ü 3 SWS   ACHTUNG: im Wintersemester 2011/2012 findet diese Vorlesung als Blockveranstaltung statt. Die Termine für die Blockveranstaltung lauten:
- Freitag, 16.12.2011 von 8:15 Uhr - 14:00 Uhr in Raum IMS128 (Fraunhofer IMS)
- Montag, 19.12.2011 von 9:00 Uhr - 17:00 Uhr in Raum BB810
Die Übung zur Vorlesung findet an den Vorlesung- und Übungsterminen (9:30 Uhr -12:00 Uhr) im Januar 2012 in Raum BA039 statt.

Studiengänge:


 (1. FS PV) EIT MA MOE-BT,
(WP) EIT MA MOE-ST

Semester:


 Wintersemester

Dozent:


 Prof. Dr. H. Vogt / Dipl.-Ing. J. Förster
Inhalt: I. Halbleitergrundlagen
  • Werkstoffgrundlagen, Kristallografie
  • Prozessgrundlagen
II.  Bauelementegrundlagen
  • MOS-Grundlagen
  • MOS-Transistor
  • Bipolarmodelle
III. Prozessfolgen
  • MOS-Prozesse
  • Bipolar-Prozesse
  • CMOS-Bipolar-Mischtechnologie
  • Sperrschichtfeldeffekttransistoren (J-FETs)
IV. Montagetechnik
  • Testen
  • Trennen der Chips
  • Chipmontage in das Gehaüse
  • Anschlusskontaktierung
V. Grundlagen für den MOS-Schaltungsentwurf
  • Designregeln für integrierte Schaltungen
  • MOS-Inverter
Lehrmittel:
Vorlesung Übung

Skript 1. Teil
Übung 01
Skript 2. Teil

 Übung 02
Skript 3. Teil

 Übung 03
Skript 4. Teil

 Übung 04
Skript 5. Teil

 Übung 05
Skript 6. Teil

 Übung 06
Skript 7. Teil

 Übung 07
Skript 8. Teil

 Übung 08
Skript 9. Teil

 Übung 09
Skript 10. Teil

 Übung 10
Skript 11. Teil

 Übung 11