REM TEM
Mitnutzung des Tecnai F20 der AG Farle http://www.uni-due.de/agfarle/ JSM 7500F



Transmissionselektronenmikroskopie

Analytik - Hochauflösung - Beugung

Ansprechpartner: Dr. Ralf Theissmann

SI Nanopartikel

MF_SM

Si Nanopartikel
a) Hellfeld
b) Dunkelfeld
c) gesinterte Schicht
d) Energiegefilterte Aufnahme der Schicht mit Energieverlustelektronen der Si-Plamonenergie (links, orange) und der SiO2- Plasmonenenergie (rechts, blau).

Sm2O3 MgO Nanokomposit - die eingefärbte Elementverteilungen wurden durch energiegefilterte Abblidung an den entsprechenden Absorptionskanten aufgenommen und dem Hellfeld überlagert.
GAS

Fe_Pt

Hochauflösende TEM-Aufnahme einer GaAs / AlGaAs Quantumwell Struktur.

FePt Nanopartikel - a) Hellfeld; b und c) Hochauflösung; d) Beugung.
quantumwell
Q_Auswertung

Schichtabfolge der Quantumwell Struktur in der Übersicht.

Quantitative Auswertung des oben unter d) gezeigten Beugungsbildes. Die extrahierte radiale Intensitäts-verteilung ist orange dargestellt, die berechnete Kurve (Rietveld - Methode) ist schwarz dargestellt, die Differenzkurve blau.
Rasterelektronenmikroskopie
SP-14-116 SP14-60
Verschiedene Stadien des Lasersinterns von nanokristallinen Si-Schichten auf einem SiO2-Substrat.
Glas-42 VPH020
Lasergesinterte nanokristalline Si-Schicht auf Glassubstrat STEM Aufnahme der Mikrostruktur einer nanokristallinen Bulkprobe, die mittels Stromsintern hergestellt wurde.
Linescan Linescan: pn-Übergang in einer nanokristallinen Silizium Festkörperprobe - die Phosphordotierung wurde mittels eines EDX-Linienprofils nachgewiesen. Aufgrund des schwachen Signals (1% Phosphor) wurde der Untergrund an der Stelle, an der das Schwefelsignal zu erwarten wäre, ausgewertet und aufgetragen. Eine Anreicherung des Phosphors in SiO2-Ausscheidungen konnte ebenfalls gezeigt werden.