Uni Duisburg     Bibliothek      Fachbereich Physik     HRZ    SFB 491     Homepage of Dr. R.A. Brand    
  
 

Laboratorium für
Angewandte Physik

  Unsere Anlagen:  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11  

UHV Elektronenspektrometer DCEMS

Die nebenstehende Abbildung zeigt das für DCEMS (depth-selective conversion-electron Mössbauer spectroscopy) Untersuchungen verwendete UHV-System mit dem Elektronenanalysator "DCEMS". Bei dem Elektronenanalysator handelt es sich um einen im Eigenbau hergestellten elektrostatischen 90°-SDA (SDA: Spherical Deflecting Analyzer). Der Elektronenanalysator mit einer Energieauflösung DE/E von 2% und einer hohen Transmission (ca. 5% von 4) arbeitet im Energiebereich sowohl der K-Konversionselektronen (7.3 keV) als auch der L-Konversionselektronen (13.6 keV). Das System kann bei einem Basisdruck von bis zu 3 x 10-10 mbar betrieben werden. Im Analysator werden die Elektronen aufgrund der angelegten Spannung auf eine gekrümmte Bahn innerhalb des Spaltes mit einer Breite von 40 mm zwischen der äußeren und inneren Kugel gezwungen. Die Sollbahn hat einen mittleren Radius von 170 mm. Die Elektronen werden von einem Channeltron detektiert. Die zu untersuchende Probe befindet sich auf dem Probenmanipulator, der sowohl in x,y und z-Richtung bewegt werden als auch um zwei Achsen rotieren kann. Auf diese Weise können Mössbauerspektren unter verschiedenen Winkeln zwischen einfallender - Strahlung (15° relativ zur Probenoberfläche) und der Oberflächennormalen der Probe aufgenommen werden. Innerhalb des Manipulators ist ein He-Durchflußkryostat integriert, wodurch die zu untersuchenden Proben bis auf 40 K heruntergekühlt werden können. Mittels einer Widerstandsheizung ist es möglich, die Proben bis auf 1000 K zu heizen. Im UHV-System befinden sich weitere Apparaturen, die es erlauben, auch RHEED-, LEED- und AES-Messungen durchzuführen. Für integrale CEMS-Messungen befindet sich nahe der Probe ein zusätzliches Channeltron. Zum "Absputtern" von Probenoberflächen existiert eine Ionenkanone, die mit maximal 5 keV-Ar+-Ionen arbeitet. Desweiteren besteht die Möglichkeit, durch thermisches Aufdampfen oder durch Molekularstrahlepitaxie dünne Schichten herzustellen.