| |
Return
Strukturelle und dynamische Eigenschaften von Si/Sn Vielfachschichten
Die Struktur und Gitterdynamik von Sn/a-Si Vielfachschichten auf Si(111) wurden mittels Röntgenbeugung,
Raman-Streuung, 119Sn Mössbauer-Spektroskopie und 119Sn inelastischer kernresonanter
Streuung (INRS) in Zusammenarbeit mit dem Argonne National Laboratory (USA) untersucht.
Bis zu einer Dicke von 1 nm lagen die Sn-Schichten als reine amorphe α-ähnliche Sn
Schichten vor. Die Bildung von reinem  -Sn trat mit zunehmender Sn-Schichtdicke
(> 1 nm) auf. Die 1 nm α-ähnlichen Sn-Schichten an der Sn/Si Grenzfläche blieben
bei Raumtemperatur stabil . Die Si-Schichten waren ebenfalls amorph.
Messungen der Sn-projizierten Phononenzustandsdichten (DOS) der -ähnlichen
Sn-Schichten in Sn(1 nm)/Si(2 to 5 nm)-Vielfachschichten mittels INRS haben ergeben, daß der
Lamb-Mössbauer-Faktor f für eine solche α-ähnliche Sn-Schicht (f=0.21) größer als
für eine 50 nm dicke epitaktische α-Sn-Schicht auf InSb(001) ist (f=0.14). Die
thermische Stabilität bei hohen Temperaturen der -ähnlichen Sn-Schicht an der
Grenzfläche (verglichen mit bulk -Sn) läßt sich mit Hilfe der Vibrations-Entropy
erklären.
|
