Silizium-Halbleiterfertigung

Veranstaltung: Silizium-Halbleiterfertigung
   

Form:

 

V/Ü 3 SWS

Studiengänge:

 

(1. FS PV) EIT MA MOE-BT,
(WP) EIT MA MOE-ST

Semester:

 

Wintersemester

Dozent:

 

Prof. Dr. H. Vogt / Herr S. Türk
Inhalt: I. Halbleitergrundlagen
  • Werkstoffgrundlagen, Kristallografie
  • Prozessgrundlagen
II.  Bauelementegrundlagen
  • MOS-Grundlagen
  • MOS-Transistor
  • Bipolarmodelle
III. Prozessfolgen
  • MOS-Prozesse
  • Bipolar-Prozesse
  • CMOS-Bipolar-Mischtechnologie
  • Sperrschichtfeldeffekttransistoren (J-FETs)
IV. Montagetechnik
  • Testen
  • Trennen der Chips
  • Chipmontage in das Gehaüse
  • Anschlusskontaktierung
V. Grundlagen für den MOS-Schaltungsentwurf
  • Designregeln für integrierte Schaltungen
  • MOS-Inverter
Lehrmittel:

Vorlesung

Übung

 

 

Skript 1. Teil

 

Übung 1. Teil

 

 
Skript 2. Teil
 
 Übung 2. Teil  
Skript 3. Teil
 
 Übung 3. Teil  
Skript 4. Teil
 
Übung 4. Teil  
Skript 5. Teil
 
Übung 5. Teil  
Skript 6. Teil
 
Übung 6. Teil  
Skript 7. Teil
 
Übung 7. Teil  
Skript 8. Teil
 
Übung 8. Teil  
Skript 9. Teil
 

Übung 9. Teil 

 
Skript 10. Teil
 
Übung 10. Teil   
Skript 11. Teil
 
Übung 11. Teil  

Skript 12. Teil 
 

Übung 12. Teil  

Skript 13. Teil
 

 Übung 13. Teil  

Skript 14. Teil
 

   

Skript 15. Teil
 

   

Skript 16. Teil