Hochfrequenzschaltungen und Leistungsbauelemente Praktikum
RF Circuits and Power Devices Lab

Das Praktikum ergänzt die Veranstaltung "Hochfrequenz-FET- und Bipolarelektronik" und umfasst 3 Versuche.
Es werden
- analoge Grundschaltungen gemessen und analysiert,
- HF-Modelle von Feldeffekt- und Bipolartransistoren untersucht sowie
- Verstärkerschaltungen auf Basis von Feldeffekttransistoren mittels einfacher Modelle und eines Schaltkreissimulators untersucht.

Die Studierenden sind in der Lage Bauelemente und einfache Schaltungen der Elektronik und Hochfrequenztechnik messtechnisch zu erfassen und theoretisches Wissen über Grundlagen und Verfahren der Elektronik und Hochfrequenztechnik auf praktische Funktionen anzuwenden.

- Versuchsbeschreibungen
- Vorlesungsskript zur Veranstaltung "Grundschaltungen der FET- und Bipolarelektronik"

alter Name: Grundschaltungen der FET- und Bipolartechnik Praktikum

alter Name: Hochfrequenz-FET- und Bipolar-Elektronik Praktikum

The lab is a supplement of the lecture "RF-FET and Bipolar Electronics" to intensify the understanding of the analysis of electronic circuits.
It consits of three practical exercises:
- the investigation of analog circuits
- the investigation of RF-models of Field-Effect- and bipolar transistors and
- the analysis of amplifier circuits using a circuit simulator

The students are able to measure electronic devices and circuits, to interpret the measurement results and to optimize amplifier circuits.

- Versuchsbeschreibungen
- Vorlesungsskript zur Veranstaltung "Grundschaltungen der FET- und Bipolarelektronik"

previous name: RF-FET and Bipolar Electronics Lab