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Wissenschaftliche/r Mitarbeiter/in, Institut für Technologien der Informationstechnik
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Keine vergangenen Veranstaltungen.
Die folgenden Publikationen sind in der Online-Universitätsbibliographie der Universität Duisburg-Essen verzeichnet. Weitere Informationen finden Sie gegebenenfalls auch auf den persönlichen Webseiten der Person.
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Static magnetic proximity effects and spin Hall magnetoresistance in Pt/ Y3Fe5 O12 and inverted Y3Fe5 O12/Pt bilayersIn: Physical Review B Jg. 102 (2020) Nr. 21, S. 214438Online Volltext: dx.doi.org/ Online Volltext (Open Access)
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Near infrared light transmission of in vitro porcine opaque corneasIn: Investigative Ophthalmology & Visual Science, IOVS Jg. 44 (2003) Nr. 13, S. U298 - U298
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A novel 1.55µm HBT-Electroabsorption modulatorIn: Proceedings of the International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP `01) / MWP `01, 7-9 Jan. 2002, Long Beach, CA, USA 2002, S. 21 - 24Online Volltext: dx.doi.org/
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Monolithically integrated optoelectronic circuits using HBT, EAM, and TEATIn: Proceedings of the International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP 2002) / MWP 2002, November 5-8, Awaji, Japan 2002, S. 349 - 352
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Waverguide HBT electroabsorption modulators : devices and circuitsIn: Proceedings of the 14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) / IPRM: May 12-16, 2002, Stockholm, Sweden 2002, S. 123 - 126
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Der TEATAachen (2006) VI, 115 S. (Berichte aus der Halbleitertechnik)
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Demonstration von Heterostruktur-Bipolartransistoren und Elektroabsorptionsmodulatoren auf der Basis eines multifunktionalen Schichtdesigns
65. Physikertagung und Frühjahrstagung des Arbeitskreises Festkörperphysik der DPG, Hamburg, Germany,Hamburg (2001) -
Integration of Heterostructure Bipolartransistors with Electroabsorption Waveguide Modulators and Applications
11th European Heterostructure Technology Workshop, Padova, Italien, 28. - 30. Oktober 2001,Padua (2001) -
Heterostructure bipolartransistor combining electroabsorption waveguide modulator based on a multifunctional layer design for 1.55µm
12th IEEE III-V Semiconductor Device Simulation Workshop in combination with the HBT Workshop, Duisburg, Germany, 2000,Duisburg (2000)