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Laboratorium für
Angewandte Physik

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Präparation und Charakterisierung von epitaktischen dünnen Fe(001) Schichten auf GaAs basierender LED für Spininjektion

Elektrische Spininjektion von einer magnetisierten Schicht in einen Halbleiter ist eine Grundvoraussetzung für spätere spinelektronische Anwendungen. Bei einem optischen Nachweis wird die Elektrolumineszenz einer LED (light-emitting diode) gemessen, um über die zirkulare Polarisation Rückschlüsse auf die Spinpolarisation ziehen zu können. Der Nachteil der bisherigen Versuche ist die Notwendigkeit eines sehr hohen äußeren magnetischen Feldes von etwa 2 Tesla, da aufgrund der Formanisotropie die dünnen ferromagnetischen Schichten in der Ebene magnetisiert sind. Für den Nachweis der Spininjektion wird jedoch eine senkrechte Magnetisierung des Ferromagneten benötigt, wobei es wesentlich ist, diese spontan - ohne äußeres magnetisches Feld - zu erhalten, um in Remanenz Spininjektion messen zu können. Wir versuchen die Herstellung ferromagnetischer Fe/Tb-Vielfachschichten mit senkrechter magnetischer Anisotropie auf sauberen As-terminierten GaAs(001) Oberflächen einer GaAs-basierenden LED-Struktur zu optimieren. Die Charakterisierung erfolgt mittels RHEED, Magnetometrie und 57Fe-Mössbauerspektroskopie (CEMS).