FIB: Spezifikationen

Gerätespezifikationen

Gerätetyp: FEI Helios NanoLab™ 600
Gerätebezeichnung: DualBeam™ FIB/SEM
Emittertyp (SEM): Schottky-Feldemitter
Ionenart (FIB): Gallium-Ionen
Auflösung:
Bei optimalem Arbeitsabstand: 0.9 nm @ 15 kV (SEM)
Im Strahlenkoinzidenzpunkt: 1.0 nm @ 15 kV (SEM), Arbeitsabstand 4 mm
5 nm @ 30 kV (FIB), Arbeitsabstand 16.5 mm
Beschleunigungsspannung: 350V bis 30 kV (SEM)
500V bis 30 kV (FIB)
Strahlstrom: bis 20 nA (FIB, SEM)
Installierte Detektoren:
  • Everhart-Thornley-Detektor
  • In-lens BE-Detektor
  • In-lens SE-Detektor
  • Continuous Dynode Electron Multiplier (CDEM)
  • Scanning-Transmission-Electron-Detektor
Gasinjektionsysteme:
  • Xenondifluorid (XeF2)
  • Selective Carbon Etch (SCE)
  • Iod
Metalldeposition: Platin
Isolatordeposition: Tetraethylorthosilikat
Mikro-Manipulationseinheit: Omniprobe 100.7
Maximale Probengröße (BxLxH): ca. 30 x 50 x 4 mm3 (horizontaler Einbau)