Elektronenstrahl-Lithografie
- 100 keV, Auflösung sub-10 nm
- automatisierte Registrierung mit 10 nm Genauigkeit
- Software zur Berechnung der Elektronenstreuung und zur Proximity-Korrektur (Genisys BEAMER)
- kalibrierte Belichtungsparameter auf InP, GaN, Silizium
- flexible Substratgröße, 10 mm bis 8" (200 mm) Durchmesser
Rasterelektronenmikroskop
- modernes Feldemissions-REM mit Software-Bedienung (Jeol i800)
- Retardierung für geringe Landeenergie
- EDX zur Elementanalyse
- Flexible Wafergrößen bis 3" (75 mm) Durchmesser
Elektronenstrahl-Metallbedampfung
- moderner E-Beam-Bedampfer (Leybold)
- Zweistufige Stickstoff-gespülte Glovebox zur Beladung
- Beschichtung sauerstoff-sensitiver Oberflächen
- Flexible Materialquellen (Ti, Pt, Au, ...)
- Flexible Wafergrößen bis 3" (75 mm) Durchmesser
Sputter-Metallbeschichtung
- Moderne Multi-Target Sputtermaschine (Leybold)
- Flexible Wafergrößen bis 3" (75 mm) Durchmesser
Gold-Galvanik
- automatisiertes Galvanikbad (Gold-Beschichtung)
- optimierter Elektrolyt (pH-Stabilisierung, Glanzbildner)
- präzise Stromsteuerung mit Pulsbetrieb
- Elektrometer-Potenzialmessung
- Flexible Wafergrößen bis 3" (75 mm)
