Ausstattung Fachgebiet BHE
Wir betreiben im Reinraum des ZHO (ISO2/ISO3 - 450 m²) Epitaxieanlagen für Verbindungshalbleiter (InP, GaN) und neue Materialien, sowie eine komplette Prozesskette zur Chipherstellung. Strukturen bis zu einer lateralen Größe von 10 nm werden mittels Elektronenstrahl-Lithografie definiert.
Unsere Terahertz-Chips werden im Labor vereinzelt und mit Antennen und Ansteuerelektronik in kompakte HF-Module integriert. Zur Charakterisierung steht ein voll ausgestattetes HF-Messlabor bis 750 GHz zur Verfügung.
Diese Technologiebasis wird zur Anwendungsforschung in der Radar-Metrologie, der THz-Kommunikation, sowie zur biologischen und medizinischen Bildgebung eingesetzt.