Projekt- und Abschlussarbeiten
Aktuelle Themenstellungen für Projekt- und Abschlussarbeiten
Kontaktieren Sie uns gerne, wenn Sie an diesen Themen interessiert sind. Der Inhalt der Arbeiten betrifft Design, Technologie und/oder Messung und Analyse.
Ansprechpartner: Prof. Dr. Nils Weimann
Aktuell verfügbare Aufgabenstellungen
(M.Sc./B.Sc.) Entwicklung und Charakterisierung von GaN basierten Bauelementen
Die stickstoffhaltigen Verbindungshalbleiter werden allgemein als Nitrid-Halbleiter bezeichnet. Die bekannteste Verbindung ist hier das Gallium-Nitrid (GaN), welches u.a. die Grundlage der modernen Beleuchtungstechnik in Form von LEDs ausmacht. Neben der hohen optoelektronischen Relevanz weisen sich die III-Nitrid Halbleiter in Hochleistungsbauelementen aus, wie z.B. den High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs). Eine Besonderheit der Nitrid-Halbleiter liegt in ihrer Kristallstruktur. Im Material liegt richtungsabhängig ein spontanes und piezoelektrisches Polarisationsfeld vor. Dies wird gezielt zur Herstellung einfacher HEMTs genutzt, wirkt sich aber auf Quantenbauelemente, wie z.B. den LEDs, meist negativ auf ihre Effizienz aus.
In unserem Fachgebiet arbeiten wir an 2 GaN-basierten Bauelementen. Eines davon ist die resonante Tunneldiode (RTD) für Anwendungen in Oszillator Schwingkreisen. Das andere ist ein HEMT für die Anwendung als Sensor. Zu den Arbeiten gehört die Entwicklung der Epitaxie der Bauelemente aus der Metallorganischen Gasphasenepitaxie (nur Masterarbeiten), eine entsprechende Planung und Entwicklung der Technologie, sowie die Aneignung und Anwendung geeigneter Charakterisierungsmethoden in den einzelnen Phasen der Bauelemententwicklung. Die erarbeiteten Ergebnisse sollen zur Modellentwicklung und weiteren Optimierung der Prozesse und der Bauelemente genutzt werden.
Bei Interesse an den Nitrid-Bauelementen können Sie sich gerne bei uns für weitere Informationen melden.
Betreuer: M.Sc. Patrick Häuser
(M.Sc.) Entwurf von Integrierten Schaltungen in InP Halbleitertechnologien
Im Mobilfunkstandard der nächsten Generation (6G) sollen die Frequenzbereiche von 110 GHz bis 170 GHz und 220 GHz bis 330 GHz genutzt werden, um besonders hohe Datenübertragungsraten zu erreichen. Systeme, welche für diese Frequenzbereiche ausgelegt sind, stellen besonders hohe Anforderungen an die Performanz der verwendeten Halbleitertechnologie. Vielversprechende Halbleitertechnologien sind die auf Indium-Phosphid (InP) basierende Doppel-Heteroübergang-Bipolar-Transistor (DHBT) Technologien. Dabei werden die DHBTs und passive Komponenten verwendet, um Schaltungen für die Übertragungssysteme zu realisieren.
Wir entwerfen Schaltungen mit einer InP Halbleitertechnologie und untersuchen verschiedene Topologien, um Funktionen wie Mischer, Verstärker oder Oszillatoren für die genannten Frequenzbereiche zu implementieren.
Mögliche Themengebiete:
Implementation und Untersuchung einer Schaltung zur Umwandlung von symmetrischer zu asymmetrischer Signale (Balun).
Betreuer: M.Sc. Konrad Müller
Abgeschlossene Projekt- und Abschlussarbeiten
Abgeschlossene Arbeiten 2025
Bachelorarbeiten
- Optimization of p+ doped arsenide layers for application in MOCVD-grown InP DHBT structures (Assignment/Summary)
Masterarbeiten
- Analysis and development of a communication link based on resonant tunneling diodes (Assignment/Summary)
- Development of MOVPE-grown InP-based layerstacks for resonant tunneling diodes (Assignment/Summary)
- Optimization of p-InGaAs Base Layers and Their Integration into an MOVPE Process for Submicrometer InP Double-Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs) (Assignment/Summary)
- Design of Deembedding Structures and a Frequency Doubler Circuit for Application in the Next-Generation Communication Standard (6G) (Assignment/Summary)
Masterprojektarbeiten
- Development of an RTD Module for the Electronic Readout of a Terahertz Biosensor (Assignment/Summary)
Abgeschlossene Arbeiten 2024
Bachelorarbeiten
- Investigation of Mouse Brain Slice in Presence of Terahertz RTD Oscillators and Detectors (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung der Lithographie für Sub-100 nm T-Gate Strukturen (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Bachelorprojektarbeiten
- Elektronenlithographie-basierte Technologieentwicklung von III-V Bauelementen (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Erweiterung eines automatischen Waferprobenmessplatzes zur präzisen Bauelement Charakterisierung (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterarbeiten
- Design of a D-Band Power Amplifier in InP DHBT MMIC Technology (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung von InP-basierten Schichtpaketen für DHBTs auf Basis eines Niedrigtemperatur-MOVPE-Prozesses (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Design of a D-Band down-conversion mixer based on InP-HBTs for 6G applications (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Design und Realisierung von kompakten THz Quellen (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung einer Messroutine für die Halbleitercharakterisierung (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung von Back-to-Back Strukturen zur Charakterisierung von Flip-Chip Übergängen auf InP und InP-/SiGe Technologie (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung einer neuartigen Regelung für einen bidirektionalen Antriebsumrichter mit minimierten leitungsgebundenen EM-Störaussendungseigenschaften (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwurf rauscharmer Verstärker zur Anwendung im 6G Standard (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterprojektarbeiten
- Weiterentwicklung und Optimierung von III-V Hochfrequenz-Bauelementen (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Investigation of Nonlinear Dynamics of Resonant Tunneling Diode Oscillators (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Process Development of Passive RF Components realized in Microstrip Technology (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Abgeschlossene Arbeiten 2023
Bachelorarbeiten
- Process Control of Contacting for Indium Phosphide-Based Double Hetero Bipolar Transistor (InP DHBT) (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Analysis of Mutual-Injection Locking of RTD Patch-Arrays (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Contact characterization for indium phosphide based double hetero bipolar transistor (InP DHBT) (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Investigation in THz RTD Oscillator Array and Concepts (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Entwicklung einer quarternären InGaAsP Zwischenschicht für die Verwendung im Kollektor von InP-DHBTs (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterarbeiten
- Wafer-Level Calibration on Indium Phosphide (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Sensitivitätsanalyse des Gamma-Modells bei Änderung der Fahrzeug-parameter im ETCS signalgeführten Schienenverkehr (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Optimization of active layer in resonant tunnelling diodes (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterprojektarbeiten
- Design von hoch performanten differentiellen THz- Oszillatoren in SiGe BiCMOS Technologie (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Abgeschlossene Arbeiten 2022
Bachelorarbeiten
- Konzeptionierung eines On-Wafer Messaufbaus und Hochfrequenz Charakterisierung von Indium-Phosphid Doppel-Heteroübergang Bipolar Transistoren (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- X-Ray Diffractometry Analysis of Epitaxially Grown Semiconductor Layers for Electronic High Frequency Devices (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Umsetzung eines Transfer-Substrat THzMessaufbaus zur Charakterisierung von RTDOszillatoren (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Modeling of a slot antenna for THz oscillators (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Prozessentwicklung für die Emitter Basis Diode eines InP HBTs (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterarbeiten
- Entwicklung der Epitaxie von 3D GaN Nano-/Mikrostrukturen auf Saphir (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Development of an integrated thin-film resistor in the frequency range up to 0.5 THz (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Design of over 30 GHz Bandwidth Down-Conversion Active Mixer based on InP-HBTs for 6G Applications (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Design of a Low Noise D-Band Amplifier with more than 20 GHz Bandwidth based on InP-HBTs for 6G Applications (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Abgeschlossene Arbeiten 2021
Bachelorarbeiten
- Optimierung elektrischer Kontakte in Resonanztunneldioden (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Investigation and correction of the proximity effect in the electron-beam lithography process for InP-HBTs (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Prozessentwicklung zur Kontaktierung von GaN Nanodraht-LED Feldern (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Performanceoptimierung und Prozessweiterentwicklung der Resonanztunneldiode für Oszillatoranwendung (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Bachelorprojektarbeiten
- Konzeptentwicklung eines Sub-THz Oszillators mit Patch-Antennen (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
Masterarbeiten
- Design of an InP DHBT and Physical Analysis of Linearity Trade-Offs (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)
- Abrupt Nanowire pn-Heterojunctions for Detector Applications (Aufgabenstellung/ Zusammenfassung)