MOCVD für Arsenide/Phosphide
- moderner Showerhead-Reaktor
- konfiguriert für InP, InGaAs, InGaAsP, GaAsSb, InAlAs
- p-Dotierung (C), n-Dotierung (Si)
- Wafer-Durchmesser 2", 3", 4", 6"
- in-situ Wafertemperatur- und Reflektivitätsmessung
- präzise Massenfluss-Kontrolle und Quellgasverdünnung für ternäre und quaternäre Mischkristalle
MOCVD für Nitride
- moderner Showerhead-Reaktor
- konfiguriert für GaN, InGaN, AlGaN, InAlGaN
- n-Dotierung (Si)
- Wafer-Durchmesser 2"
- in-situ Wafertemperatur- und Reflektivitätsmessung
Röntgenbeugung (XRD)
- Schichtdickenbestimmung mit atomarer Auflösung
- reziproke Gitterkarte
- Röntgen-Reflektivitätsmessung (XRR)
Atomares Raster-Kraftmikroskop (AFM)
- Bestimmung der Oberflächen-Morphologie
- Rauigkeitsmessung < 100 pm (RMS)
Photolumineszenz
- Anregung mit Weißlichtlaser IR - UV
- Kryostat bis LN2 Temperatur
- ortsaufgelöste Messung
Hall-Effekt Messung
- Bestimmung von Ladungsträgertyp, -konzentration und Beweglichkeit
- hochauflösende Stromquelle/Spannungsmessung
- Magnetfeld ~1T
