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Es wurde 1 Person gefunden.
Fakultät Physik
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ME 252
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Professor/in em./i.R., Experimentalphysik
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---, Arbeitsgruppe Prof. Lorke
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Keine vergangenen Veranstaltungen.
Die folgenden Publikationen sind in der Online-Universitätsbibliographie der Universität Duisburg-Essen verzeichnet. Weitere Informationen finden Sie gegebenenfalls auch auf den persönlichen Webseiten der Person.
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Valence-band offsets of InGaZnO₄, LaAlO₃, and SrTiO₃ heterostructures explained by interface-induced gap statesIn: Journal of Materials Science: Materials in Electronics Jg. 29 (2018) Nr. 23, S. 19607 - 19613Online Volltext: dx.doi.org/
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Explanation of the barrier heights of graphene Schottky contacts by the MIGS-and-electronegativity conceptIn: Journal of Applied Physics Jg. 120 (2016) Nr. 10, S. 104501Online Volltext: dx.doi.org/
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On the band-structure lineup at Ga2O3, Gd2O3, and Ga2O3(Gd2O3) heterostructures and Ga2O3 Schottky contactsIn: Journal of Materials Science Jg. 27 (2016) Nr. 2, S. 1444 - 1448Online Volltext: dx.doi.org/
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On selenium p–n heterojunctions and Schottky contactsIn: Journal of Materials Science: Materials in Electronics Jg. 26 (2015) Nr. 2, S. 1097 - 1101Online Volltext: dx.doi.org/
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On the band-structure lineup at Schottky contacts and semiconductor heterostructuresIn: Materials Science in Semiconductor Processing Jg. 28 (2014) S. 2 - 12Online Volltext: dx.doi.org/
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On the alleviation of Fermi-level pinning by ultrathin insulator layers in Schottky contactsIn: Journal of Applied Physics Jg. 111 (2012) Nr. 7, S. 073706Online Volltext: dx.doi.org/
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Branch-point energies and the band-structure lineup at Schottky contacts and heterostrucuresIn: Journal of Applied Physics Jg. 109 (2011) Nr. 11, S. 114724Online Volltext: dx.doi.org/
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Interface-induced gap states and band-structure lineup at TiO2 heterostructures and Schottky contactsIn: Journal of Applied Physics Jg. 107 (2010) Nr. 1, S. 013706Online Volltext: dx.doi.org/
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On the Reliability of the Raman Spectra of Boron-Rich SolidsIn: Journal of Alloys and Compounds Jg. 291 (1999) Nr. 1-2, S. 28 - 32Online Volltext: dx.doi.org/
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Electronic properties of semiconductor interfacesIn: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials / Kasap, Safa; Capper, Peter (Hrsg.) 2017, S. 1Online Volltext: dx.doi.org/
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Electronic Properties of Semiconductor InterfacesIn: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials / Kasap, Safa; Capper, Peter (Hrsg.) 2007, S. 147 - 160Online Volltext: dx.doi.org/
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Band-structure lineup at I–III–VI2 Schottky contacts and heterostructuresIn: Wide-gap chalcopyrites: with 19 tables / Workshop ; (Triberg) : 2002; Workshop ; (Berlin) : 2003 / Siebentritt, Susanne (Hrsg.) 2006, S. 9 - 34Online Volltext: dx.doi.org/