Personensuche

Personensuche

Bitte geben Sie den Namen der gesuchten Person ein.

Es wurde 1 Person gefunden.

Prof.em.Dr.rer.nat. Winfried Mönch

Fakultät Physik

Raum
ME 252
Telefon
+49 203 379 1661
E-Mail
winfried.moench@uni-due.de

Funktionen

  • Professor/in em./i.R., Experimentalphysik

  • ---, Arbeitsgruppe Prof. Lorke

Aktuelle Veranstaltungen

Keine aktuellen Veranstaltungen.

Vergangene Veranstaltungen (max. 10)

Keine vergangenen Veranstaltungen.

Die folgenden Publikationen sind in der Online-Universitätsbibliographie der Universität Duisburg-Essen verzeichnet. Weitere Informationen finden Sie gegebenenfalls auch auf den persönlichen Webseiten der Person.

    Artikel in Zeitschriften

  • Mönch, Winfried
    Valence-band offsets of InGaZnO₄, LaAlO₃, and SrTiO₃ heterostructures explained by interface-induced gap states
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 29, 2018, Nr. 23, S. 19607 – 19613
    DOI
  • Mönch, Winfried
    Explanation of the barrier heights of graphene Schottky contacts by the MIGS-and-electronegativity concept
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120, 2016, Nr. 10, S. 104501
    DOI
  • Mönch, Winfried
    On the band-structure lineup at Ga2O3, Gd2O3, and Ga2O3(Gd2O3) heterostructures and Ga2O3 Schottky contacts
    In: Journal of Materials Science, Jg. 27, 2016, Nr. 2, S. 1444 – 1448
    DOI
  • Mönch, Winfried
    On selenium p–n heterojunctions and Schottky contacts
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Jg. 26, 2015, Nr. 2, S. 1097 – 1101
    DOI
  • Mönch, Winfried
    On the band-structure lineup at Schottky contacts and semiconductor heterostructures
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 28, 2014, S. 2 – 12
    DOI
  • Mönch, Winfried
    On the alleviation of Fermi-level pinning by ultrathin insulator layers in Schottky contacts
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111, 2012, Nr. 7, S. 073706
    DOI
  • Mönch, Winfried
    Branch-point energies and the band-structure lineup at Schottky contacts and heterostrucures
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 109, 2011, Nr. 11, S. 114724
    DOI
  • Mönch, Winfried
    Interface-induced gap states and band-structure lineup at TiO2 heterostructures and Schottky contacts
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107, 2010, Nr. 1, S. 013706
    DOI
  • Werheit, Helmut; Schmechel, Roland; Kuhlmann, Udo; Kampen, Thorsten U.; Mönch, Winfried; Rau, A.
    On the Reliability of the Raman Spectra of Boron-Rich Solids
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 291, 1999, Nr. 1-2, S. 28 – 32
    DOI
  • Mönch, Winfried; Enninghorst, R.; Clemens, H.J.
    An experimental study on the temperature dependence of electron affinity and ionization energy at semiconductor surfaces
    In: Surface Science, Jg. 102, 1981, Nr. 2-3
    DOI

    • Beiträge in Sammelwerken und Tagungsbänden

  • Mönch, Winfried
    Electronic properties of semiconductor interfaces
    In: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials / Kasap, Safa; Capper, Peter (Hrsg.). Cham: Springer, 2017, S. 1
    DOI
  • Mönch, Winfried
    Electronic Properties of Semiconductor Interfaces
    In: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials / Kasap, Safa; Capper, Peter (Hrsg.). Boston: Springer, 2007, S. 147 – 160
    DOI
  • Mönch, Winfried
    Band-structure lineup at I–III–VI2 Schottky contacts and heterostructures
    In: Wide-gap chalcopyrites: with 19 tables / Workshop ; (Triberg) : 2002; Workshop ; (Berlin) : 2003 / Siebentritt, Susanne (Hrsg.). Berlin ; Heidelberg ; New York: Springer Verlag, 2006, S. 9 – 34
    DOI