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Es wurde 1 Person gefunden.
Fakultät für Physik, Experimentalphysik
Anschrift
Mülheimer Str.
47048 Duisburg
47048 Duisburg
Raum
MC 364
Telefon
Telefax
E-Mail
Funktionen
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Wissenschaftliche/r Mitarbeiter/in, Arbeitsgruppe Prof. Schleberger
Aktuelle Veranstaltungen
Keine aktuellen Veranstaltungen.
Vergangene Veranstaltungen (max. 10)
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2020 WS
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2020 SS
Die folgenden Publikationen sind in der Online-Universitätsbibliographie der Universität Duisburg-Essen verzeichnet. Weitere Informationen finden Sie gegebenenfalls auch auf den persönlichen Webseiten der Person.
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Influence of Highly Charged Ion Irradiation on the Electrical and Memory Properties of Black Phosphorus Field-Effect TransistorsIn: Advanced Electronic Materials Jg. 11 (2025) Nr. 2, 2400318Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Manipulation of the electrical and memory properties of MoS₂ field-effect transistors by highly charged ion irradiationIn: Nanoscale Advances Jg. 5 (2023) Nr. 24, S. 6958 - 6966Online Volltext: dx.doi.org/ Online Volltext (Open Access)
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Velocity distributions of particles sputtered from supported two-dimensional MoS2 during highly charged ion irradiationIn: Physical Review B Jg. 107 (2023) Nr. 7, 075418Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Time-of-flight mass spectrometry of particle emission during irradiation with slow, highly charged ionsIn: Review of Scientific Instruments Jg. 92 (2021) Nr. 2, S. 023909Online Volltext: dx.doi.org/ Online Volltext (Open Access)
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A swift technique to hydrophobize graphene and increase its mechanical stability and charge carrier densityIn: npj 2D Materials and Applications Jg. 4 (2020) Nr. 1, 11Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Ionization probability of sputtered indium atoms under impact of slow highly charged ionsIn: Journal of Vacuum Science and Technology (JVST) B: Nanotechnology and Microelectronics Jg. 38 (2020) Nr. 4, S. 044003Online Volltext: dx.doi.org/
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Particle emission from two-dimensional MoS₂ induced by highly charged ion impact
31st International Conference on Photonic, Electronic and Atomic Collisions, ICPEAC 2019; Deauville, France; 23 - 30 July 2019,In: Journal of Physics: Conference Series (JPCONF) Jg. 1412 (2020) Nr. 20, S. 202007Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access) -
Manipulation of the electrical and memory device properties of monolayer MoS₂ field-effect transistors by highly charged ion irradiationIn: Proceedings of the 2023 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2023) / IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2023): 22-25 October 2023; Paestum, Italy / Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. (Hrsg.) 2023, S. 450 - 451Online Volltext: dx.doi.org/
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Modifikation von substratgestützten Übergangsmetalldichalkogenid-Einzellagen durch Interaktion mit hochgeladenen IonenDuisburg, Essen (2024) viii, 161 SeitenOnline Volltext: dx.doi.org/ Online Volltext (Open Access)