Tiefenprofile und Sputtern

Bei der vorhandenen Anlage ist es möglich die Oberfläche der zu untersuchenden Probe durch sputtern mit Argon-Ionen abzutragen.

Dies dient einerseits der Säuberung der Oberfläche, wie in Abbildung 5 gezeigt. Durch schrittweises sputtern wird hier die entstanden Antimon-Oxidschicht auf der Probenoberfläche entfernt und es verbleibt eine reine, unoxidierte Antimonschicht.

Weiterhin kann man Tiefenprofile aufnehmen. Nach jedem Sputter-Schritt wird die XPS Intensität des Signals der zu untersuchenden Elemente bestimmt. Kennt man die Sputterrate kann man die Änderung der Elementkonzentration mit zunehmender Probentiefe bestimmen. Ein Beispiel ist in Abbildung 6 zu sehen. Sie zeigt die Intensität von Bi,Sb und Te einer BiSbTe₃ Schicht in Abhängigkeit der Sputterzeit. In diesem Fall sieht man, dass die Konzentration an Tellur und Antimon mit zunehmender Tiefe leicht abnimmt.