Rem

Zentrallabor für Rasterelektronenmikroskopie

Das Zentrum für Rasterelektronenmikroskopie wurde 2005 durch die Zusammenlegung von zwei vorhandenen Geräten und einem neu beantragten Gerät gegründet. Es steht allen Angehörigen der Universität Duisburg-Essen als Service-Einrichtung zur Verfügung, wobei die Betriebskosten auf einer Stundenbasis auf die Nutzer umgelegt werden. Die kompetente Betreuung und Durchführung der Experimente ist durch einen hauptamtlich tätigen Ingenieur gesichert. Besondere Anwendung wird das Zentrallabor in den interdisziplinären Projekten des Zentrums für Mikroskalige Umweltsysteme (ZMU) finden.

Leitung:
Prof. Dr. Matthias Epple
E-mail: matthias.epple@uni-due.de
Fon: +49(0)201 183 2413

Kontakt:
 
Fon: +49(0)201 183 2896
 

Ursula Giebel
E-mail:ursula.giebel@uni-due.de
Fon: +49(0)201 183 4515

 
Fon: +49(0)201 183 2556
 

Standort:
Universität Duisburg-Essen
Institut für Anorganische Chemie
Universitätsstrasse 5
45141 Essen

Raum: S05 V00 E04 

Projekte - Aktuelle Anwendungen

  • Untersuchung von biologischen Proben
  • Strukturen von Biomaterialien und Implantaten
  • Untersuchung von Katalysatoren
  • Temperaturinduzierte Phasenumwandlungen von Festkörpern
  • Mikrostruktur von Werkstoffen und Transportphänomene
  • Gefrierverhalten von Wasser und Transport von Wasser zu Eis bei tiefen Temperaturen
  • Untersuchung der Wasseraufnahme von Wandstoffen
  • Untersuchung von Ultrafeinstäuben
  • Charakterisierung von Einzelpartikeln in Umweltaerosolen
  • Wechselwirkungen von Zellen mit ihrer Umgebung, z.B. in Biofilmen
  • Wechselwirkung von Metallen, Metalloiden und ihren organischen Derivaten mit lebenden Zellen
  • Untersuchungen an Eis und dotierten Eisoberflächen

Instrumentelle Ausstattung

  • Metallbedampfungsanlage: EMITECH Turbo Evaporator K950,
  • Beschichtungsanlage: EMITECH Carbon Coating K250 für K550,
  • Bedampfungsanlage: EMITECH Automatic Coater K550,
  • Ionenstrahlätzanlage: Gatan Precision Ion Polishing System Model 681,
  • Mikrotom: Leica Ultracut UCT,
  • Trimmer: Leica EM TRIM,
  • Mikroskop: Leica Laborlux 12 POL
  • Schleif-Poliermaschine: ATM-Saphir 520/530
  • Kritisch-Punkt-Trockner: Baltec CPD 030
  • Gefriertrocknungsanlage: Christ Alpha 2-4 LSC

Ausstattung

 Apreo S LoVac

Apreo

Rasterelektronenmikroskop
(Apreo S LoVac, Thermo Fisher Scientific)
Information über: Topographie, Morphologie, chemische Zusammensetzung
Auflösung: 1 nm bei 1 kV, 0,8 nm bei 1 kV in Immersionmodus, 0,7 nm bei 30 kV in STEM-Modus
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung:
•Sekundärelektronenkontrast (SE), in lense-Detektor (T2) und in column-Detektor (T3), Topographie
•Rückstreuelektronenkontrast (BSE, in lense-Detektor (T1/T2*), Z-Kontrast)
•Transmission (STEM, BF, DF, HAADF)
•Niedervakuumbetrieb (LVD, BSE-GAD, bis 500 Pa)
Analytisches REM:
•Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS, Energierauflösung < 129 eV für MnK, Detektorfläche 100 mm2)
•Wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie (WDS, LIF, PET, TAP, NiC80, Energieauflösung < 10 eV)
Besonderheiten:
20 eV-30 keV, beam deceleration, in situ Halter (40-1200 °C, Mikrochips), Plasma Cleaner, Kühlfalle

Ausstattung

ESEM Quanta 400 FEG

Esem

Rasterelektronenmikroskop
(ESEM Quanta 400 FEG, FEI)
Information über: Topographie, Morphologie, chemische Zusammensetzung
Auflösung: 3,5 nm bei 3 kV, 2 nm bei 30 kV, 5 nm bei 30 kV in Niedervakuum und ESEM-Modus
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung:
•Sekundärelektronenkontrast (SE, Topographie)
•Rückstreuelektronenkontrast (BSE, Z-Kontrast)
•Transmission (STEM, BF)•Niedervakuum (LV-GSED, bis 200 Pa)
•Environmental Mode (GSED, bis 4000 Pa)
Analytisches REM:
•Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS, Energierauflösung < 132 eV für MnK, Detektorfläche 10 mm2)
Besonderheiten: 200 V-30 kV, ESEM-Modus, Peltier-Tisch, Kühltisch, Heiztisch (RT-1200 °C), Plasma Cleaner

Ausstattung

LEO S420

Leo
Rasterelektronenmikroskop
(LEO 420, Zeiss)
Information über: Topographie, Morphologie
Auflösung: <20 nm bei 30 kV
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung: Sekundärelektronenkontrast (SE, Topographie)
Besonderheiten: 300 V-30 kV