BA-Gebäude_350


Standort Duisburg

Die Laboratorien des Fachgebietes Nanostrukturtechnik befinden sich in der zweiten und dritten Etage des BA-Gebäudes an der Bismarckstraße in Duisburg.

Auf einer Laborfläche von mehr als 450 m² arbeiten zur Zeit mehr als 20 Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler an der Entwicklung neuer funktionaler Schichten und Bauelementen.

Eine Auswahl einiger Messplätze und Methoden wird im Folgenden gezeigt.

Raster Elektronen Mikroskop

Jeol JSM 7500F

Rem Jeol
Foto Rasch, Multimedia

 

Glasbox

 

Glove Box

MBRAUN

Eine Glove Box ist ein Behälter, der gegenüber dem umgebenden Raum hermetisch und gasdicht abgeschlossen ist. Im Innern wird eine definierte Atmosphäre aufrechterhalten, die aus Inertgasen wie Stickstoff (oder Argon) besteht.

* 2 Glove Boxen MB MOD 1250x780 mm
* 1 T-Schleuse , 2 Minischleusen (Probenschleusen)

 

Vakuum - Aufdampfanlage

 

Bei dieser Aufdampfanlage handelt es sich um eine Hochvakuum-Anlage. Diese dient dazu, Materialien (Metalle, Dielektrika, Halbleiter) auf Substrate aufzubringen. Der Aufdampfprozess findet im Hochvakuum statt.

Aufdampfkammer

 

SMPS

 

Scanning Mobility Particle Sizer (SMPS)

TSI

mit DMA 3085

Das Scanning Mobility Particle Sizer Spektrometer ist ein Nanopartikelgrößenmessgerät, das die Anzahlgrößenverteilung luftgetragener Partikel im Submikrometer-Bereich mit Genauigkeit und Präzision bestimmen kann. Es kombiniert die Größenbestimmung über elektrische Mobilität mit der Zählung einzelner Partikel und gibt die Konzentrationen der Nanopartikel in diskreten Größenkanälen aus. Das SMPS kann Partikeldurchmesser bis zu 64 Kanälen pro Dekade auflösen und hat somit gesamt bis zu 109 Kanäle.

Halbleiter-Charakterisierungssystem

 

Keithley 4200-SCS
mit Prüfspitzenanordnung

* 4 x SMU (davon 2 x High Power SMU)
* Ultra-Low-Current Switch Matrix 8x12
* Dual-channel digital oscilloscope
* Dual-channel pulse generator

Vier-Spitzen Messplatz mit
System-SourceMeter (SMU) Keithley 2612

 

 

HalbleiterCharaktersystem

 

Profilometer

 

Profilometer

 

XP-200 High Resolution Stylus-Type Surface Profilometer

Ambios Technologies

* Scanlänge: 55 mm
* Probendicke: 30 mm
* Vertikale Auflösung: 0.38 angstrom LSB
* Laterale Auflösung: 100nm
* Vertikaler Bereich: 1200μm max.
* Radius der Messstiftspitze: 2 μm 0,2 μm auswechselbar
* Druckkraft des Messstiftes: 0.03-10mg (programmierbar)

Laserflash


Die Wärmeleitfähigkeit thermoelektrischer Materialien spielt eine Schlüsselrolle für die Effizienz thermoelektrischer Bauteile. Zur Bestimmung von spezifischen Wärmeleitfähigkeiten von Bulkproben hat sich die NETZSCH LFA Microflash 457 bewährt. Es handelt sich hierbei um eine kontaktfreie, transiente Messmethode. Mit einem kurzen Laserpuls wird die Vorderseite der zu untersuchenden Probe erwärmt, während die Temperaturentwicklung auf der Rückseite der Probe zeitabhängig mittels eines Infrarotstrahlungsdetektors aufgenommen wird. Aus dem zeitaufgelösten Temperaturprofil lassen sich Temperaturleitfähigkeit und spezifische Wärmekapazität (Referenzprobe nötig) bestimmen und mit Hilfe der Dichte auf die Wärmeleitfähigkeit zurückschließen. Es können bis zu 3 Proben gleichzeitig in einem Temperaturintervall von -125° bis 1100° C vermessen werden.  

 

 

 

Laserflash