Aufbauend auf den Grundlagen der Festkörperelektronik werden zunächst MOS-Kondensatoren und Ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD) behandelt. Im Anschluss daran werden die Grundlagen von

  • Feldeffekttransistoren (MOSFET, Sperrschicht-FET (MESFET, JFET) und Heterostruktur-FET (HFET)) sowie
  • bipolaren Bauelementen (pn-Dioden, npn- bzw. pnp-Transistoren, und spezielle Bauteile wie Tunnel- und Zenerdioden)

erarbeitet und die DC-Eigenschaften dieser Bauelemente hergeleitet.

Ansprechpartner: Dr.-Ing. Wolfgang Brockerhoff

Den Zugang zum Moodle-Kurs erhalten Sie in der ersten Vorlesung am 14.10.2021

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Zusätzliche Angebote

Zu dieser Veranstaltung gibt es

  • ein Tutorium (Anmeldung erforderlich, Deadline 19.10.2021)
  • ein Praktikum (Anmeldung erforderlich, Deadline 15.10.2021)

Weitere Informationen bzw. Anmeldung zu diesen Veranstaltungen unter dem jeweiligen Link.

Veranstaltung im WS 2021/22

Vorlesung

Übung

Tutorium

Dozent: Dr.-Ing. Wolfgang Brockerhoff

Termin: Donnerstags, 15:00-17:00

Beginn: 14.10.2021

Ort: BA 026

Dozent: M.Sc. Robin Kreß

Termin: Donnerstags, ca. 17:00-18:00

Beginn: 14.10.2021

Ort: BA 026

Dozent: M.Sc. Christian Preuß

Termin: Mittwochs 09:00-10:00 / 10:00-11:00

Beginn: 20.10.2021

Ort: BC 523

Hinweis: Anmeldung erforderlich!