Aufbauend auf den Grundlagen der Festkörperelektronik werden zunächst MOS-Kondensatoren und Ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD) behandelt. Im Anschluss daran werden die Grundlagen von

• Feldeffekttransistoren (MOSFET, Sperrschicht-FET (MESFET, JFET) und Heterostruktur-FET (HFET)) sowie
• bipolaren Bauelementen (pn-Dioden, npn- bzw. pnp-Transistoren, und spezielle Bauteile wie Tunnel- und Zenerdioden)

erarbeitet und die DC-Eigenschaften dieser Bauelemente hergeleitet.

Ansprechpartner: Prof. Dr. Nils Weimann

Den Zugang zum Moodle-Kurs erhalten Sie in der ersten Vorlesung am 12.10.2023