Höchstfrequenz- und Terahertz-Halbleitertechnologien (NST1)

Die Veranstaltung vertieft die technologischen Verfahren zur Herstellung von nanostrukturierten Materialien und Komponenten und die zugehörigen Analysemethoden an aktuellen Bespielen aus der Bauelementherstellung. Dies beinhaltet:

  • Moderne Wachstumstechniken für monoatomlagengenaue Schichtdeposition wie Metallorganische-Gasphasenepitaxie (MOVPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE), bezüglich Zusammensetzung, Kontrolle der Schichtdicke und Dotierung.
  • Nutzung von Selbstorganisationsmechanismen und Templateprozessen.
  • Fortgeschrittene hochauflösende Lithographieverfahren zur Erzeugung nanoskaliger Strukturen (Elektronen- Röntgenstrahl- sowie Rastersonden-Lithographie).
  • Mikro- und nano-elektronische Fertigungstechniken für elektronische und optoelektronische Nanokomponenten, u.a. für Höchstfrequenzanwendungen.
  • Laterale und vertikale Verarbeitung von Epitaxie-Filmen, Isolierschichten und Metallisierungen bis hin zu monolithisch integrierten nanoelektronischen Schaltungen.
  • Zerstörungsfreie Analyse der Nanostrukturen und Bauelemente durch hochauflösende Röntgenstrahl-Beugung und durch die Nutzung der Wechselwirkung von Elektronensonden mit den Materialien.
  • Analyseverfahren mit mechanischen Sonden (Raster-Tunnel- und die Raster-Kraft-Mikroskopie)

Ansprechpartner: Prof. Dr. Nils Weimann

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Veranstaltung im WS 2023/24

Vorlesung

Übung

Dozent: Prof. Dr. Nils Weimann

Termin: Dienstags, 08:00 - 10:00

Beginn: 10.10.2023

Ort: BB 130

Dozent: M.Sc. Patrick Häuser

Termin: Dienstags, 10:00 - 11:00

Beginn: 10.10.2023

Ort: BB 130