Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
Höchstfrequenz-Bauelemente aus Duisburg
Das Fachgebiet BHE forscht im Zentrum für Halbleitertechnik und Optoelektronik (ZHO)
an speziellen Halbleitermaterialien und -technologien
für Höchstfrequenz- und Terahertz-Anwendungen
Liebe Studierende,
Im Sommersemester 2022 bieten wir folgende Lehrveranstaltungen an:
- Festkörperelektronik (Dozent Prof. Dr. Weimann)
- Elektronische Schaltungen (Dozent Dr.-Ing. Brockerhoff)
- Praktikum Elektronische Schaltungen (Ansprechpartner Dr.-Ing. Brockerhoff)
- Praktikum Operationsverstärker (Ansprechpartner Dr.-Ing Brockerhoff)
- NanoEngineering Praktikum
Auch in Zeiten von COVID-19 bieten wir laufend Praktikums- und Abschlussarbeiten sowie Stellen für Hilfskräfte an.
Informationen zu Lehrveranstaltungen
BHE-Seminar
Um uns in der Arbeitsgruppe und mit Interessierten über aktuelle Forschungsthemen/-arbeiten im Lehrstuhl Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik auszutauschen führen wir regelmäßig im Rahmen eines Seminares Präsentationen durch. In diesem Seminar finden zudem auch die Kolloquien der Abschluss- und Projektarbeiten unsere Studierenden statt. Das Seminar ist öffentlich zugänglich und wir freuen uns über Ihre Teilnahme. Weitere Informationen zum Seminar (Terminplan und Information zur Teilnahme) finden Sie hier.
06.05.2022 - 14:00:00
IRTG Seminar
01.04.2022 - 07:00:00
Anmeldung für Praktika
Praktikum Elektronische Schaltungen
Praktikum ...
05.10.2021 - 07:30:00
Sparkasse verleiht zwei Innovationspreise an Ingenieure
01.05.2021 - 08:00:00
BHE Seminar
NRW.Forschungsinfrastrukturen THzIZ
Terahertz-Integrationszentrum
BMBF Rahmenprogramm Mikroelektronik ForLab SmartBeam
Forschungslabor Mikroelektronik Duisburg-Essen für Hochfrequenz-Strahlformung
Im Forschungslabor Mikroelektronik (ForLab) SmartBeam werden elektronische und photonische Höchstfrequenz-Chips entwickelt. Neue Anwendungen in der Robotik und im autonomen Verkehr erfordern hochaufgelöste Radarsysteme mit der Fähigkeit zur Materialunterscheidung. Dies kann mit Trägerfrequenzen im THz-Frequenzbereich erreicht werden. Um THz-Strahlung mit ausreichender Intensität zu generieren, müssen einzelne THz-Emitter zusammengeschaltet werden. Diese "phased array" Konfigurationen ermöglichen die Ablenkung des Strahls in beliebige Richtungen, zum Scannen des Umfelds -- dies ist das Ziel von ForLab SmartBeam.
Das ForLab SmartBeam wird vom BMBF bis 2021 mit 4 M€ gefördert: eine neue Kristallzuchtanlage (metal-organic vapor phase deposition) für das Wachstum von Halbleiterstrukturen für THz-Transistoren, eine Anlage zur Atomlagenabscheidung (ALD) sowie THz-Messinstrumente werden in diesem Projekt neu beschafft. Neben BHE sind an ForLab die Fachgebiete OE und DSV beteiligt.
Mehr lesenJoint Lab UDE / FBH InP Devices Joint Lab
Entwicklung innovativer Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
Die UDE hat mit dem Ferdinand-Braun-Institut in Berlin das Joint Lab "InP Devices" gegründet.
Das Joint Lab greift auf die komplementären Infrastrukturen des FBH und der UDE zu, um die grundlegende Material- und Bauelementforschung an der UDE – mit Schwerpunkt auf Indiumphosphid (InP) – mit der industrietauglichen Prozesstechnologie des FBH zu kombinieren. Mit InP-basierten monolithisch integrierten HF-Schaltkreisen (MMIC) lassen sich höchste Frequenzen im Terahertz (THz)-Band erreichen und somit neue Systemanwendungen kostengünstig realisieren. Gemeinsam erforschen die Partner innovative Halbleiterstrukturen und -bauelemente für THz-Anwendungen und entwickeln integrierte Komponenten für den Einsatz der elektronischen THz-Technologie. Die Applikationen liegen unter anderem in der zerstörungsfreien Materialprüfung, der hochauflösenden medizinischen Bildgebung sowie in Breitbandkommunikations-Systemen.
DFG Sonderforschungsbereich/Transregio SFB/TRR 196 MARIE
Mobile Material Transceiver
Das Fachgebiet BHE ist im SFB/TRR MARIE mit zwei Teilprojekten beteiligt: C02 und C11. In beiden Projekten geht es um die Erforschung effizienter elektronischer Terahertz-Quellen. Diese Quellen werden mit resonanten Tunneldioden (RTD) und Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) mittels spezieller Halbleiter-Prozesse im Materialsystem Indiumphosphid realisiert. Oszillatoren können auch bei THz-Frequenzen noch effizient betrieben werden. Von besonderer Bedeutung ist die Kontrolle der abgestrahlten Frequenz und der Phasenlage der Oszillatoren, um diese in Feldern zusammenschalten zu können. Hierbei wird das Prinzip des "subharmonic injection locking" angewendet, d.h. die Oszillatoren werden an einen Kontroll-Oszillator mit 2x oder 3x niedriger Frequenz phasenstarr gekoppelt.
Mehr lesenAktuelles
Neuer MOVPE-Reaktor für InP-basierte THz Bauelemente
Unser Reinraum ist um eine neue Epitaxie Anlage der Firma Aixtron reicher. In Zukunft werden mit dieser neue Schichtpakete gewachsen um zum Beispiel Hetero Bipolar Transistoren zu fertigen.
Mehr Informationen
Neues Konfokalmikroskop
Mit dem neuen konfokal Mikroskop der Firma ZEISS besitzen wir ein starkes Instrument zur tieferen Analyse der gefertigten Halbleiterbauelemente und Schaltungen. Neben dem Betrieb als klassisches Lichtmikroskop ermöglicht das konfokal Mikroskop die Aufnahme von Oberflächentopografien mit denen zum Beispiel die Rauheit von Oberflächen analysiert werden können.