Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
Höchstfrequenz-Bauelemente aus Duisburg
Das Fachgebiet BHE forscht im Zentrum für Halbleitertechnik und Optoelektronik (ZHO)
an speziellen Halbleitermaterialien und -technologien
für Höchstfrequenz- und Terahertz-Anwendungen
Liebe Studierende,
Im Wintersemester 2023/24 bieten wir folgende Lehrveranstaltungen an:
- Elektronische Bauelemente (Dozent Prof. Dr. Weimann)
- THz- und Höchstfrequenztechnologie (Dozent Prof. Dr. Weimann)
- Nanoelektronik (Ansprechpartner Prof. Dr. Weimann)
- Halbleitertechnologie (Dozent Prof. Dr. Weimann)
- Praktikum Elektronik und Hochfrequenztechnik (Ansprechpartner R. Kreß)
Weiterhinn bieten wir laufend Praktikums- und Abschlussarbeiten sowie Stellen für Hilfskräfte an.
Informationen zu Lehrveranstaltungen
Gemic 2024 in Duisburg
Die Universität Duisburg-Essen richtet im Jahr 2024 die "German Microwave Confernce" aus. Sie findet vom 11.-13. März in der Mercatorhalle Duisburg statt. Alle weiteren Informationen erhalten Sie auf der Website der Gemic 2024!

BHE-Seminar
Zum Austausch über aktuelle Forschungsthemen/-arbeiten am Lehrstuhl Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik finden im Rahmen unseres Seminars regelmäßig Präsentationen statt, darunter auch die Kolloquien der Abschluss- und Projektarbeiten unsere Studierenden. Das Seminar ist öffentlich zugänglich, und wir freuen uns über Ihre Teilnahme!
Weitere Informationen zum Seminar finden Sie hier.
Ausschreibung Abschlussarbeit in Zusammenarbeit mit Bosch
In Zusammenarbeit mit der Firma Bosch suchen wir eine/n Student/in für eine Masterarbeit mit dem Thema
"High-Density Signal Routing at RF Frequencies for Heterogenous Integration".
Alle weiteren Informationen zur Themenstellung sowie den Voraussetzungen finden Sie in der Ausschreibung: Au
sschreibung Masterarbeit Lossy Microwave Line
Bei Interesse melden Sie sich gerne mit einer aktuellen Notenübersicht und Ihren Erfahrungen bei M. Sc. Robin Kreß.

Projekt- und Abschlussarbeiten
Im Fachgebiet "Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik" bieten wir laufend spannende Aufgabenstellungen für Projekt- und Abschlussarbeiten sowohl für Bachelor und Master-Studiengänge an. Studenten können bei uns spannende und forderne Thematiken an Anlagen und Geräten des neusten Standes bearbeiten. Arbeiten werden im Bereich Hochfrequenz-Messtechnik und Simulation sowie Chip- und Halbleitermaterialtechnologie vergeben. Die technologischen Arbeiten finden im Reinraum ZHO statt.
Meldungen aus der Kategorie 'Forschung'
(zurück zur Kategorie '')

18.10.2022 - 17:00:00
Neue Mikropräzisionsfräse im ZHO

30.09.2022 - 08:58:58
Zwei neue Metallisierungsanlagen


01.04.2020 - 09:00:00
Neues Rasterkraftmikroskop für das NanoEngineering Praktikum
BMBF 6G-Hub 6GEM
Mit ihrem Antrag „6GEM open – efficient – secure – safe“ konnten sich die RWTH Aachen, die Ruhr-Universität Bochum, die Technische Universität Dortmund und die Universität Duisburg-Essen in einer Ausschreibung des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF) durchsetzen. Die vier Hochschulen arbeiten ab 1. August 2021 gemeinsam mit vier außeruniversitären Forschungseinrichtungen zu zukünftigen Kommunikationstechnologien in der 6G-Mobilfunktechnik. Mitantragsteller waren das Fraunhofer-Institut für Materialfluss und Logistik, das Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme, das Fraunhofer-Institut für Hochfrequenzphysik und Radartechnik sowie das Max-Planck-Institut für Sicherheit und Privatsphäre.
Mehr lesenNRW.Forschungsinfrastrukturen THzIZ
Terahertz-Integrationszentrum
BMBF Rahmenprogramm Mikroelektronik ForLab SmartBeam
Forschungslabor Mikroelektronik Duisburg-Essen für Hochfrequenz-Strahlformung
Im Forschungslabor Mikroelektronik (ForLab) SmartBeam werden elektronische und photonische Höchstfrequenz-Chips entwickelt. Neue Anwendungen in der Robotik und im autonomen Verkehr erfordern hochaufgelöste Radarsysteme mit der Fähigkeit zur Materialunterscheidung. Dies kann mit Trägerfrequenzen im THz-Frequenzbereich erreicht werden. Um THz-Strahlung mit ausreichender Intensität zu generieren, müssen einzelne THz-Emitter zusammengeschaltet werden. Diese "phased array" Konfigurationen ermöglichen die Ablenkung des Strahls in beliebige Richtungen, zum Scannen des Umfelds -- dies ist das Ziel von ForLab SmartBeam.
Das ForLab SmartBeam wird vom BMBF bis 2021 mit 4 M€ gefördert: eine neue Kristallzuchtanlage (metal-organic vapor phase deposition) für das Wachstum von Halbleiterstrukturen für THz-Transistoren, eine Anlage zur Atomlagenabscheidung (ALD) sowie THz-Messinstrumente werden in diesem Projekt neu beschafft. Neben BHE sind an ForLab die Fachgebiete OE und DSV beteiligt.
Mehr lesenJoint Lab UDE / FBH InP Devices Joint Lab
Entwicklung innovativer Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
Die UDE hat mit dem Ferdinand-Braun-Institut in Berlin das Joint Lab "InP Devices" gegründet.
Das Joint Lab greift auf die komplementären Infrastrukturen des FBH und der UDE zu, um die grundlegende Material- und Bauelementforschung an der UDE – mit Schwerpunkt auf Indiumphosphid (InP) – mit der industrietauglichen Prozesstechnologie des FBH zu kombinieren. Mit InP-basierten monolithisch integrierten HF-Schaltkreisen (MMIC) lassen sich höchste Frequenzen im Terahertz (THz)-Band erreichen und somit neue Systemanwendungen kostengünstig realisieren. Gemeinsam erforschen die Partner innovative Halbleiterstrukturen und -bauelemente für THz-Anwendungen und entwickeln integrierte Komponenten für den Einsatz der elektronischen THz-Technologie. Die Applikationen liegen unter anderem in der zerstörungsfreien Materialprüfung, der hochauflösenden medizinischen Bildgebung sowie in Breitbandkommunikations-Systemen.
DFG Sonderforschungsbereich/Transregio SFB/TRR 196 MARIE
Mobile Material Transceiver
Das Fachgebiet BHE ist im SFB/TRR MARIE mit zwei Teilprojekten beteiligt: C02 und C11. In beiden Projekten geht es um die Erforschung effizienter elektronischer Terahertz-Quellen. Diese Quellen werden mit resonanten Tunneldioden (RTD) und Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBT) mittels spezieller Halbleiter-Prozesse im Materialsystem Indiumphosphid realisiert. Oszillatoren können auch bei THz-Frequenzen noch effizient betrieben werden. Von besonderer Bedeutung ist die Kontrolle der abgestrahlten Frequenz und der Phasenlage der Oszillatoren, um diese in Feldern zusammenschalten zu können. Hierbei wird das Prinzip des "subharmonic injection locking" angewendet, d.h. die Oszillatoren werden an einen Kontroll-Oszillator mit 2x oder 3x niedriger Frequenz phasenstarr gekoppelt.
Mehr lesen