Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik
Elektronische Terahertz-Bauelemente
Das Fachgebiet Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik (BHE) forscht im Zentrum für Halbleitertechnik und Optoelektronik (ZHO) an speziellen Halbleitermaterialien, Chiptechnologie und Aufbautechnik für Höchstfrequenz- und Terahertz-Anwendungen
Liebe Studierende,
Im Sommersemester 2025 bieten wir folgende Lehrveranstaltungen in den Fachrichtungen EIT und Nanoengineering an:
- Festkörperelektronik
- THz- und Höchstfrequenz-Schaltkreise
- Operationsverstärker-Praktikum
Weiterhin bieten wir laufend Praktikums- und Abschlussarbeiten sowie Stellen für Hilfskräfte an.
Informationen zu Lehrveranstaltungen
BHE-Seminar
Im Seminar des Lehrstuhls Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik finden Donnerstags um 10 Uhr Vorträge statt, darunter auch die Kolloquien der Abschluss- und Projektarbeiten, die im Fachgebiet entstehen. Das Seminar ist öffentlich zugänglich, und wir freuen uns über Ihre Teilnahme!
Weitere Informationen zur Seminarreihe BHE finden Sie hier.
Projekt- und Abschlussarbeiten
Das Fachgebiet Bauelemente der Höchstfrequenzelektronik bietet laufend spannende und praxisnahe Aufgabenstellungen für Projekt- und Abschlussarbeiten für Bachelor- und Master-Studiengänge an. Studierende arbeiten an Prozessanlagen und Messgeräten des neusten Stands.
Verschiedene Themen sind im Bereich Hochfrequenz-Messtechnik und -Simulation, Chip- und Halbleiter-Materialtechnologie sowie in der HF-Aufbautechnik verfügbar. Die Arbeiten zur Material- und Chiptechnologie finden im Reinraum des ZHO statt.
Meldungen aus der Kategorie 'Forschung'
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Zwei neue Metallisierungsanlagen
Aktuelle Forschungsprojekte:
EU-Forschungsprojekt (HORIZON CHIPS)
Move2THz
InP (Indiumphosphid) ist ein Halbleitermaterialsystem, das gut für Hochfrequenztransistoren > 100 GHz geeignet ist. Im EU-Verbundprojekt Move2THz wird die Indiumphosphid-Plattform entlang einer vollständig integrierten europäischen Wertschöpfungskette zu einer nachhaltigen und kommerziell tragfähigen Technologie, die Massenmarktanwendungen wie für mobile Datenkommunikation und RF/Bio-Sensorik ermöglicht, die Frequenzen bis hin zum THz-Bereich zu nutzen.
Im Fachgebiet BHE erforschen und entwickeln wir die Materialsynthese von Indiumphosphid für Hochfrequenz-Transistoren in 6G- und THz-Anwendungen
DFG Sonderforschungsbereich/Transregio SFB/TRR 196 MARIE
Die Vision von MARIE ist eine präzise und dynamische Charakterisierung und Lokalisierung von bewegten Objekten/Materialien in unserem Alltag mithilfe eines mobilen Material Transceivers. Das Fachgebiet BHE ist im SFB/TRR MARIE mit dem Teilprojekt C02 beteiligt. In dem Projekt geht es um die Erforschung effizienter elektronischer Terahertz-Quellen. Diese Quellen werden mit resonanten Tunneldioden (RTD) mittels spezieller Halbleiter-Prozesse im Materialsystem Indiumphosphid realisiert. Oszillatoren können auch bei THz-Frequenzen noch effizient betrieben werden. Von besonderer Bedeutung ist die Kontrolle der abgestrahlten Frequenz und der Phasenlage der Oszillatoren, um diese in Feldern zusammenschalten zu können. Hierbei wird das Prinzip des "subharmonic injection locking" angewendet, d.h. die Oszillatoren werden an einen Kontroll-Oszillator mit 2x oder 3x niedriger Frequenz phasenstarr gekoppelt.
Mehr lesenBMBF 6G-Hub 6GEM
Mit ihrem Antrag „6GEM open – efficient – secure – safe“ konnten sich die RWTH Aachen, die Ruhr-Universität Bochum, die Technische Universität Dortmund und die Universität Duisburg-Essen in einer Ausschreibung des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF) durchsetzen. Die vier Hochschulen arbeiten ab 1. August 2021 gemeinsam mit vier außeruniversitären Forschungseinrichtungen zu zukünftigen Kommunikationstechnologien in der 6G-Mobilfunktechnik. Mitantragsteller waren das Fraunhofer-Institut für Materialfluss und Logistik, das Fraunhofer-Institut für Mikroelektronische Schaltungen und Systeme, das Fraunhofer-Institut für Hochfrequenzphysik und Radartechnik sowie das Max-Planck-Institut für Sicherheit und Privatsphäre.
Mehr lesenNRW.Forschungsinfrastrukturen THzIZ
Terahertz-Integrationszentrum
BMBF Rahmenprogramm Mikroelektronik ForLab SmartBeam
Forschungslabor Mikroelektronik Duisburg-Essen für Hochfrequenz-Strahlformung
Im Forschungslabor Mikroelektronik (ForLab) SmartBeam werden elektronische und photonische Höchstfrequenz-Chips entwickelt. Neue Anwendungen in der Robotik und im autonomen Verkehr erfordern hochaufgelöste Radarsysteme mit der Fähigkeit zur Materialunterscheidung. Dies kann mit Trägerfrequenzen im THz-Frequenzbereich erreicht werden. Um THz-Strahlung mit ausreichender Intensität zu generieren, müssen einzelne THz-Emitter zusammengeschaltet werden. Diese "phased array" Konfigurationen ermöglichen die Ablenkung des Strahls in beliebige Richtungen, zum Scannen des Umfelds -- dies ist das Ziel von ForLab SmartBeam.
Das ForLab SmartBeam wird vom BMBF bis 2021 mit 4 M€ gefördert: eine neue Kristallzuchtanlage (metal-organic vapor phase deposition) für das Wachstum von Halbleiterstrukturen für THz-Transistoren, eine Anlage zur Atomlagenabscheidung (ALD) sowie THz-Messinstrumente werden in diesem Projekt neu beschafft. Neben BHE sind an ForLab die Fachgebiete OE und DSV beteiligt.
Mehr lesenJoint Lab UDE / FBH InP Devices Joint Lab
Entwicklung innovativer Materialien und Bauelemente für die Terahertz-Elektronik
Die UDE hat mit dem Ferdinand-Braun-Institut in Berlin das Joint Lab "InP Devices" gegründet.
Das Joint Lab greift auf die komplementären Infrastrukturen des FBH und der UDE zu, um die grundlegende Material- und Bauelementforschung an der UDE – mit Schwerpunkt auf Indiumphosphid (InP) – mit der industrietauglichen Prozesstechnologie des FBH zu kombinieren. Mit InP-basierten monolithisch integrierten HF-Schaltkreisen (MMIC) lassen sich höchste Frequenzen im Terahertz (THz)-Band erreichen und somit neue Systemanwendungen kostengünstig realisieren. Gemeinsam erforschen die Partner innovative Halbleiterstrukturen und -bauelemente für THz-Anwendungen und entwickeln integrierte Komponenten für den Einsatz der elektronischen THz-Technologie. Die Applikationen liegen unter anderem in der zerstörungsfreien Materialprüfung, der hochauflösenden medizinischen Bildgebung sowie in Breitbandkommunikations-Systemen.
Aktuelles
Neue Metallisierungsanlagen
Um unsere Halbleiterbauelemente mit der Außenwelt zu verbinden, werden möglichst gute Kontaktwiderstände benötigt. Damit wir diese in Zukunft verbessern können, ist unser Reinraum um zwei neue Metallisierungsanlagen erweitert worden.
Mehr Informationen
Neuer MOVPE-Reaktor für InP-basierte THz Bauelemente
Unser Reinraum ist um eine neue Epitaxie Anlage der Firma Aixtron reicher. In Zukunft werden mit dieser neue Schichtpakete gewachsen um zum Beispiel Hetero Bipolar Transistoren zu fertigen.
Mehr Informationen
Neues Konfokalmikroskop
Mit dem neuen konfokal Mikroskop der Firma ZEISS besitzen wir ein starkes Instrument zur tieferen Analyse der gefertigten Halbleiterbauelemente und Schaltungen. Neben dem Betrieb als klassisches Lichtmikroskop ermöglicht das konfokal Mikroskop die Aufnahme von Oberflächentopografien mit denen zum Beispiel die Rauheit von Oberflächen analysiert werden können.